TF卡工廠:傳東芝攜SanDisk砸4000億日圓建3D Flash新工廠

    三星電子領先全球同業、于2014年10月搶先量產3D架構的NAND Flash 產品,不過三星競爭對手東芝(Toshiba)也拼了,除3D Flash專用廠房于2015年啟用之外,還傳出將砸4000億日圓倍增3D Flash產能。
    TF卡封裝大廠報導,東芝計劃攜手SanDisk在日本三重縣四日市興建一座NAND Flash新工廠,最快將在2017年
度啟用量產,目標為藉此將采用3D架構的NAND Flash產能提高至現行2倍水平。據報導,上述NAND Flash新廠將坐落在現行四日市工廠附近,預計將在2016年度動工興建,投資額將超過4,000億日圓,設備投資費用將由東芝和SanDisk均攤。
    TF卡協會指出,3D Flash需求看俏,東芝位于四日市工廠內的3D Flash專用廠房甫于2015年啟用,而東芝計
劃藉由興建上述新工廠,來確保有充足的3D Flash產能、以因應市場需求。據報導,3D Flash設備投資競爭激烈,南韓三星電子已利用中國西安工廠量產3D Flash,美國美光(Micron)、南韓SK Hynix也已導入生產。
    東芝去年10月21日宣布,于2014年9月動工進行改建的NAND Flash生產據點“四日市工廠”第2廠房(以下稱新
第2廠房)部分工程已完工,且東芝已和SanDisk簽訂正式契約,將攜手對新第2廠房進行設備投資。
    東芝指出,上述新第2廠房將在2015年度第4季(2016年1-3月)開始進行生產,且期望藉由該廠房建構3D NAND
Flash的生產體制,藉此加快2D NAND Flash產品轉換至3D NAND Flash的速度。東芝表示,該新第2廠房所有改建工程預計將在2016年上半年內完工,而其具體產能、生產計劃等細節將待評估市場動向后再行決定。
    三星于2014年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆棧32層,但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆棧48層
。東芝和SanDisk去年8月3日宣布開發出48層的3D NAND Flash。BGR報導,東芝和SanDisk采用15奈米制程,打造出新3D NAND Flash,據稱速度為業界之冠,并更具能源效益。盡管東芝新聞稿未提及可能客戶,BGR稱,假定蘋果(Apple)沿用舊有供應商,這么一來新的3D NAND Flash或許將用于iPhone 7。

2016-01-12 08:34:46
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