三星、SK海力士祭出EUV,掀新世代DRAM決戰

存儲卡工廠三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)雙雙投入極紫外光(EUV)技術的DRAM制程研發,欲在存儲器市場取得更大領先。日前三星電子宣布已完成技術研發,即將進入EUV商用化階段,引起業界關注后續發展。

據韓媒Business Post報導,存儲卡工廠三星電子日前表示即將在7納米系統半導體代工生產啟用EUV技術,后續也會將EUV技術延伸到DRAM生產。三星是目前唯一成功在系統半導體導入EUV制程的業者,將EUV技術用在DRAM領域將指日可待。

三星電子表示,準備從10納米中段(1y)DRAM開始采用EUV技術,逐漸擴大到10納米以下制程,提高超高速、超大容量DRAM產品的技術競爭力。

SK海力士最近發表利川新存儲卡工廠興建計畫,也松口會提高投資規模,采用最新EUV技術進行生產。韓國業界表示,SK海力士持續進行EUV技術研發,待工廠完工時應可順利與新技術接軌。

EUV技術生產DRAM在存儲器市場將相當具有競爭力,因為產品不但能提高性能與電力效率,芯片體積也可縮小,使每片晶圓可生產的芯片數量增加,有效節省生產成本。DRAM價格易受市場景氣影響波動,對業者而言,降低生產成本至關重要。

目前為止DRAM業者的技術水平差距不大,產品性能也未存在太大差異,使業者之間只能不斷進行激烈的價格競爭。但若存儲卡工廠三星電子與SK海力士采用EUV技術生產DRAM,所提高的產品水平將更易于滿足客戶需求。

尤其人工智能(AI)服務器與自駕車等新興科技領域對DRAM的質量要求提高,訂單恐會涌向生產技術領先的DRAM業者。相較于美光(Micron)對采用EUV技術態度較為消極,三星電子與SK海力士積極以新技術欲維持領先。

存儲卡工廠三星電子表示,在半導體生產采用EUV技術之后,將可讓5G、AI、物聯網(IoT)等領域的技術發展速度加快,后續將會擴大EUV技術應用,提供客戶更完善的產品服務。

韓國分析師預測,2019年起半導體業者將調整策略,減少DRAM方面的投資,有助市場景氣維持良好。亦即包括存儲卡工廠三星電子、SK海力士在內的DRAM業者會放慢DRAM投資腳步。

2018-10-23 09:53:30
九洲城娱乐十年信誉 亿客隆 福彩开奖25选5奖金 广东36选7定位走势图 p3开机号试机号金码关注 (★^O^★)MG五骑士在线客服 25选5什么时间开奖 重庆欢乐生肖暂停销售 贵州快3开奖对照表结果 六合彩现场开奖结果 (★^O^★)MG日日进财登陆 (★^O^★)MG四灵_破解版下载 体彩福建36选7开奖查询 (^ω^)MG好多怪兽彩金 (^ω^)MG富裕人生_电子游艺 (^ω^)MG万圣节财富试玩网站 新mg电子游戏网址开户