海力士發表20nm 64Gbit MLC NAND閃存技術/SD卡工廠新聞

韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)在“2011 Symposium on VLSI Technology”上發表了20nm工藝的64Gbit MLC(multi-level cell)NAND閃存(演講編號:4B-2)。海力士稱這是業內首次以20nm工藝實現大容量多值NAND閃存。
該閃存得以實現的關鍵在于為降低字線間干擾而導入的氣隙技術。其特點是與原來的使用案例相比,使用了大氣隙,獲得了更高的降干擾效果。據海力士介紹,字線間干擾的降低效果與形成的氣隙的形狀和位置(高度)有非常大的關系。因此,海力士通過模擬解析,觀察了氣隙形狀為箱形或橢圓形,并將氣隙形成位置(浮動柵極下端與氣隙下端之間的相對高度差)變為0埃或200埃時,對字線間干擾的影響。結果顯示,采用箱形氣隙且氣隙相對高度設為0埃時,最能夠減小字線間的干擾。
此外,海力士此次通過采用ArF液浸曝光技術和側墻圖形技術,形成了20nm工藝要求的字線和位線。
2011-06-20 22:38:00
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